商品名称：硅片抛光生产加工制造工艺方法专利技术资料

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001、一种对硅片背表面进行抛光处理的方法
　　　　[专利简介]：本发明涉及一种对硅片背表面进行抛光处理的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对硅片正表面进行滴液保护处理；步骤二、对硅片进行酸抛光处理，即对硅片周边及背面进行刻蚀，并对硅片背面进行平整处理；步骤三、使用纯水对硅片进行清洗；步骤四、使用碱液对硅片进行碱洗，对硅片背表面进行进一步抛光；步骤五、使用纯水对硅片进行清洗；步骤六、对硅片进行酸洗，去除磷硅玻璃；步骤七、使用纯水对硅片进行清洗；步骤八、对硅片进行干燥处理。本发明通过对硅片背表面进行抛光使其背面平整，一方面可强对透射光的反射从而减小透光率，另一方面可使铝浆与硅片表面接触得更加充分从而提高钝化效果，此外还可使电流密度、开路电压得到提升，从而提高太阳能电池饿转换效率。

002、太阳电池用单晶硅片单面抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明涉及太阳电池用单晶硅片单面抛光方法，将单晶硅片浸没在的KOH或NaOH水溶液中进行抛光刻蚀，抛光完成后洗净烘干，采用化学法或物理气相沉积法在抛光后的硅片单一表面涂盖一层掩膜层；将单面掩膜后的硅片放入制绒液中，50～85℃下静置反应1000～1700s，反应结束洗净；将制绒清洗后的硅片放入去掩膜溶液中进行反应，反应结束后用去离子水清洗干净并烘干，即完成单面抛光处理。与现有技术相比，本发明利用KOH或NaOH的各向异性特性对硅片进行抛光，表面均匀、平整、粗糙度较小，并且避免了气泡印迹的产生，可以满足新型高效电池对抛光效果的要求。同时，该单面抛光技术得到的样品绒面金字塔分步均匀微细，比常规制绒工艺样品的绒面结构有明显改善。

003、一种局域加热的硅片抛光装置
　　　　[专利简介]：本实用新型提供了一种局域加热的硅片抛光装置，包括滚轮、加热灯管、反射罩、传感器、槽体等。本实用新型结构合理，构造简单，相比整槽药液加热的抛光装置，因为采用了局域加热的设计，有如下优点：仅在硅片处进行加热，且无硅片时自动停止加热，故能耗更低，节约了设备使用成本；由于非加热处的药液温度较低，设备槽体可选择性价比更高的材质制造，节约了设备的制造成本。

004、太阳能电池硅片的抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明涉及一种太阳能电池硅片的抛光方法，首先将磷扩散后的硅片背面的PSG去除，然后将硅片浸入四甲基氢氧化铵抛光液中对硅片背面进行抛光。本发明的有益效果是：通过单面抛光降低了抛光后硅片的重量损失，而且在不影响扩散后硅片方阻和正面PN结的情况下简化了抛光工艺过程，抛光使硅片背面更平整，反射率在50%～60%之间，结合背面钝化工艺可使电池片效率整体提升0.15%～0.25%。

005、一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明公开了一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法。它的步骤如下：将葡萄糖与麦芽糖混合，加热，得到混合糖浆溶液；将抛光盘放在加热装置上预热到75℃；将混合糖浆溶液滴到转动的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面；将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀；再在待抛光硅片上加压，冷却；用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光硅片进行抛光，再置于热水溶液中超声，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。本发明具有应用范围广、工艺简单、硅片抛光去厚一致性好、低成本和环保节能的特点。

006、硅片的抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明提供一种硅片的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。本发明所述抛光方法不但可减少环境污染，而且抛光效果较好。

007、单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法
　　　　[专利简介]：本发明公开了一种单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法。该抛光方法为将制绒后的单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于抛光液外进行化学抛光。通过对背面绒面结构抛光增加了硅片电池背场的平整度，增加了太阳光谱中长波段光在单晶硅背面的反射；减小了硅片背面的绒面面积和硅片背面的表面缺陷态密度以及背面光生载流子的复合速率，使经过硅片的光更多地反射回硅片内部，增加了激发电子-空穴对的几率，提高了太阳能电池的开路电压、短路电流和光电转换效率，降低了制作成本。通过调整优化抛光工艺提高了长波段太阳光的反射率，使长波长的光进一步反射回硅片内部增加了被吸收的可能性，提高了太阳能电池的转换效率。

008、硅片双面抛光工艺
　　　　[专利简介]：本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，在硅片正面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。本发明取消内衬载体，简化作业流程。

009、太阳能电池硅片抛光后的清洗方法
　　　　[专利简介]：本发明提供了一种太阳能电池硅片抛光后的清洗方法，包括以下步骤：（1）对抛光后的太阳能电池硅片进行酸清洗；（2）对酸清洗后的太阳能电池硅片进行混酸酸洗、碱清洗和酸清洗。在步骤（2）中，混酸酸洗使用氢氟酸和硝酸的混合酸，碱清洗使用为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，用于酸洗的酸为氢氟酸和盐酸的混合酸。本发明的方法操作简便，且可高效地除去太阳能电池硅片在抛光过程中产生的各种污染，可明显提高硅片产品的开路电压，为背抛光、背钝化电池的大规模生产提供良好的技术支持。

010、太阳能电池硅片的抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明提供了一种太阳能电池硅片的抛光方法，包括以下步骤：（a）对未抛光的太阳能电池硅片进行预清洗，并配制抛光溶液，抛光溶液为添加有表面活性剂的碱溶液；（b）将所配制的抛光溶液加热到80~100℃，并将预清洗过的太阳能电池硅片浸入该加热后的抛光溶液中进行抛光处理，抛光处理的时间为90~200秒；（c）对抛光后的太阳能电池硅片进行酸洗、水洗和干燥。本发明的太阳能电池硅片的抛光方法操作简单，抛光效果好，且可以与传统的生产线很好地匹配整合，具有非常好的应用前景。

011、一种硅片抛光系统
　　　　[专利简介]：本实用新型公开了一种硅片抛光系统，包括：掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽、吹干槽及用于传输硅片的传送机构；所述掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽及吹干槽依次相连。采用本实用新型，可以在保证不损害硅片前表面绒面的情况下，对硅片后表面进行抛光处理，增加了后表面对未吸收太阳光谱中的长波反射，减小硅片与后表面的接触面积，达到减少后表面电子、空穴复合量，提高了晶硅太阳电池的光电转换效率，结构简单，满足用户的需求。

012、一种太阳能电池硅片抛光制绒的方法
　　　　[专利简介]：本发明公开了一种太阳能电池硅片抛光制绒的方法，其特征在于依次包括如下步骤：（1）对硅片化学清洗，然后进行双面抛光过程；（2）对硅片背表面进行镀钝化层；（3）对硅片的正面进行化学腐蚀方法制备绒面结构，然后进行扩散前清洗。本发明太阳能电池硅片抛光制绒的方法，针对电池的总体制作工艺进行整合操作，利用晶体硅衬底背面沉积的钝化层进行保护后再用腐蚀溶液制绒未沉积区域实现背钝化结构的方法，减少了工艺步骤，工艺控制窗口宽，工艺控制容易，实现了背钝化结构电池的大规模商业化生产。

013、一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液
　　　　[专利简介]：本发明公开一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液，其特征在于该抛光液由以下重量份的组分组成：硝酸10-48份、氢氟酸15-40份、醋酸2-25份、甘油7-15份。本发明制备的晶体硅片湿法刻蚀用抛光液组成简单，抛光效果好，不损害硅片。

014、一种背面抛光硅片的制备方法
　　　　[专利简介]：本发明公开一种背面抛光硅片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将已扩散的硅片使用氢氟酸、硝酸混合溶液清洗表面磷硅玻璃清洗，完成后使用氢氟酸、硝酸、硫酸混合溶液进行背面刻蚀，形成抛光效果，然后使用氢氧化钠溶液清洗上述反应产生的多孔硅，并使用氢氟酸中和碱液，最终使用纯水清理硅片表面，热风烘干。本发明方法制作的背面抛光硅片提高了电池光吸收，提高电池转化效率，降低了生产成本。

015、一种对化学机械抛光后硅片的清洗方法
　　　　[专利简介]：本发明提供了一种采用同时含有氧化剂、硫酸氢盐、硫酸盐以及硫脲或硫脲的衍生物的清洗液清洗化学机械抛光后的硅片的方法。采用本发明的化学机械抛光清洗液可有效加速金属污染物的溶解，解决了硅片表面银离子污染的清洗问题，根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。

016、一种实现硅片单面抛光的方法
　　　　[专利简介]：本发明涉及一种实现硅片单面抛光的方法。其应用一种腐蚀性具有较强选择性的有机碱溶液四甲基氢氧化铵溶液，步骤为：⑴在硅片正面覆盖二氧化硅或氮化硅掩膜层；⑵采用10%wt的HF溶液和带液滚轮装置，去除背面的二氧化硅或氮化硅；⑶将硅片放入10%wt的TMAH溶液中，控制反应温度60-80℃，反应时间3-10min；⑷将硅片放入60℃的去离子水中，鼓泡清洗3min；然后放入常温的去离子水中，溢流清洗2min；⑸将硅片放入常温的10%wt的HF溶液中，反应1-10min，去除正面二氧化硅或氮化硅掩膜层；⑹将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗3min。本发明能够在不影响硅片正面的情况下，实现卓越的背表面抛光效果。

017、硅片的抛光方法
　　　　[专利简介]：本发明涉及一种硅片的抛光方法，包括下列步骤：提供经过磨片处理后的硅片；在所述硅片的一面贴上保护膜；将贴有保护膜的硅片置于腐蚀液中，进行化学腐蚀；将保护膜去除，进行化学机械抛光；其中，化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45％～55％。本发明化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45％～55％，化学机械抛光只占总去除厚度的一半，且化学腐蚀后有了一个较为光滑的表面，所以由抛光机进行的化学机械抛光时间相对于传统技术大大缩短。硅片厚度均匀性受抛光机抛光过程中各种因素的影响就小，均匀性就好，且提高了抛光机的生产效率。

018、一种提高硅片平整度的抛光头
　　　　[专利简介]：本实用新型公开了一种提高硅片平整度的抛光头，该抛光头包括：硅片的固定盘、抛光垫、气囊和上抛光盘，所述上抛光盘的断面为倒U形，所述上抛光盘位于硅片的固定盘的上方，所述气囊固定在所述上抛光盘的底面，所述抛光垫固定在所述气囊的底面。该提高硅片平整度的抛光头可通过调节气体压力或者换用不同的弹性材料用以适应不同尺寸的硅片，从而达到提高硅片抛光平整度的效果。

019、一种硅片的抛光方法
020、一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法
021、单晶硅片液体抛光方法
022、一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法
023、应用于硅片化学机械抛光设备中的机械手终端夹持执行器
024、应用于硅片化学机械抛光设备中的抛光头磁性夹紧装置
025、化学机械抛光设备的硅片固定装置
026、化学机械抛光设备的硅片清洗装置
027、应用于硅片化学机械抛光设备中的定位转换装置
028、化学机械抛光设备硅片定位装片装置
029、硅片抛光表面划伤的控制方法
030、硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法
031、半导体硅片化学机械抛光用清洗液
032、一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法
033、硅片抛光机头吸盘
034、硅片无蜡抛光垫

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